全球最大的記憶體製造商三星計劃在即將推出的 Galaxy S25 系列中使用美光的 DRAM，而不是三星。根據最新消息，大多數版本的 Galaxy S25 將配備來自美光的 RAM，而不是像之前那樣來自三星。這將標誌著 Galaxy S 高階手機首次不使用三星的主記憶體。
據韓國報道稱，美光將成為Galaxy S25 DRAM的主要供應商，而三星半導體僅充當次要供應商。美光是一家美國記憶體公司，多年來一直與三星直接競爭，這將是美光首次成為 Galaxy S 系列的主要 DRAM 供應商。
許多人認為，三星需要改進其快閃記憶體設計，以免落後於競爭對手，不僅在高頻寬（HBM）方面，而且在低功耗（LPDDR）方面。三星MX在比較美光和三星半導體提供的DRAM的價格和性能後選擇美光作為主要供應商，顯示美光具有優勢。
洩密稱 Galaxy S25 將配備高通 Snapdragon 8 Elite 處理器，以及 12GB LPDDR5X DRAM 和 256GB 或更大的 UFS 4.0 儲存。 Galaxy S25 Ultra版本最高可配備16GB內存，而Galaxy S25和Galaxy S25+將擁有12GB RAM和256GB至512GB的儲存空間。這表明三星在為其產品選擇內存供應商方面正在邁出新步伐。如果您對三星產品感興趣，請訪問其官方網站 Samsung.com 以了解更多資訊和最優惠價格！
全球最大的記憶體製造商三星可能不會在即將推出的 Galaxy S 系列中使用內部記憶體。根據一份新報告，大部分線路 銀河S25 可能配備了其他品牌的 RAM。如果是這樣，這將是高階 Galaxy S 手機首次不主要使用三星記憶體。
Galaxy S25系列可能會使用美光的DRAM而不是三星的
來自韓國的報道稱，大部分 Galaxy S25 系列將採用美光的 DRAM。同時，三星半導體將只是二級記憶體供應商。
美光是一家總部位於美國的記憶體製造商，與三星直接競爭。十多年來一直是三星的二級內存供應商。這將是 Micro 首次成為主要 DRAM 供應商。
如果是這樣，這對三星半導體部門來說將是一種恥辱，因為三星MX部門希望優先使用其他品牌的記憶體。
一些人士認為，三星迫切需要改進其快閃記憶體設計，因為它不僅在高頻寬記憶體（HBM）方面落後於競爭對手，而且在低功耗DRAM（LPDDR）方面也落後於競爭對手。
據說美光的 DDR5X DRAM 比三星的更省電
看來，三星的行動部門三星MX在比較了美光和三星半導體提供的DRAM的價格和性能後，選擇了美光作為其主要內存供應商，間接承認美光的DRAM更勝一籌。
有報導稱，美光的10nm快閃記憶體是採用三星半導體更好的1b製程製造的。此外，三星還未能解決導致快閃記憶體溫度升高的問題。
據洩漏消息稱， Galaxy S25系列將搭載高通驍龍8 Elite處理器 以及 12GB LPDDR5X DRAM 和至少 256GB UFS 4.0 儲存。 Galaxy S25 Ultra 的 512GB 和 1TB 儲存選項最高可達 16GB 記憶體。 同時， Galaxy S25 和 Galaxy S25+ 將配備 12GB RAM 和 256GB/512GB 儲存空間。
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